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Si2306BDS
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
30
R DS(on) ( Ω )
0.047 at V GS = 10 V
0.065 at V GS = 4.5 V
I D (A)
4.0
3.5
Q g (Typ.)
3.0
? Halogen-free Option Available
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
RoHS
COMPLIANT
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
Top View
Si2306BDS (L6 )*
* Marking Code
Ordering Information: Si2306BDS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si2306BDS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
Steady State
30
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a, b
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
4.0
3.5
20
3.16
2.7
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a, b
I S
1.04
0.62
Maximum Power Dissipation a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
1.25
0.8
- 55 to 150
0.75
0.48
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
80
130
60
100
166
75
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 5 s.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.
c. Surface Mounted on FR4 board.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Document Number: 73234
S-80642-Rev. B, 24-Mar-08
www.vishay.com
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